Аннотация: Рассматриваются физические основы функционирования современных полупроводниковых приборов. Даны общие сведения о полупроводниковых приборах группы диодов и биполярных транзисторах. Рассмотрены элементы кристаллографии, атомной и квантовой физики. Приведена статистика электронов и дырок в полупроводниках.Для студентов и аспирантов технических вузов. Издание может быть полезно специалистам в области приборостроения.

Аннотация: Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях.Для студентов, обучающихся по специальности 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов.

Аннотация: Рассматриваются фундаментальные теоретические и практические сведения, необходимые для овладения навыками проектирования и разработки усилителей в современном интегральном исполнении для их применения в радиофизических приложениях при построении усилительных радиочастотных трактов.Для студентов направлений 03.03.03 «Радиофизика» (бакалавриат), 03.04.03 «Радиофизика» (магистратура), 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавриат), 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника» (магистратура), изучающих дисциплину «Аналоговая схемотехника».

Аннотация: Представлены основные теоретические сведения, охватывающие свойства и параметры полупроводников. Приведены содержание и порядок выполнения лабораторных работ по дисциплине «Физические основы электроники», посвященные исследованию параметров полупроводников.Для студентов радиотехнических специальностей и направлений подготовки.

Аннотация: Рассматривается элементная база и схемотехника аналоговых и цифровых полупроводниковых телекоммуникационных устройств. Приведен комплекс контрольных работ, способствующий усвоению, закреплению материала и проверке знаний по дисциплине. Приведены примеры решений. Рассмотрены вопросы экспериментальной проверки ряда теоретических положений.Для студентов телекоммуникационных и радиотехнических специальностей дневной и заочной формы обучения, а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику и схемотехнику.

Аннотация: Рассматривается элементная база и схемотехника радиотехнических устройств. Приведен комплекс лабораторных работ, способствующий усвоению, закреплению материала и проверке знаний по дисциплинам «Схемотехника» различных направлений подготовки. Для лучшего освоения дисциплины приведенные лабораторные работы оформлены в виде экспериментальной проверки основных теоретических положений, которые для удобства размещены в начале каждой лабораторной работы.Для студентов по направлениям подготовки: 11.03.01 «Радиотехника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 10.05.02 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем», 10.03.01 «Информационная безопасность», 27.03.04 «Управление в технических системах», а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику.

Аннотация: Кратко изложены основные понятия теории сигналов, классификация и характеристики усилителей, виды усилительных каскадов на биполярных и полевых транзисторах, их эквивалентные схемы и расчет, многокаскадные и интегральные усилители.Для подготовки бакалавров и магистров по группе направлений и специальностей «Электроника, радиотехника и системы связи».

Аннотация: Раскрыто основное содержание понятий «микросистема» и «микросистемная техника». В порядке общего ознакомления рассмотрены вопросы проектирования, изготовления и экспериментальной верификации микросистем. Представлен кремний как основной материал современной электроники. Дано последовательное описание технологии производства монокристаллического кремния и изготовления кремниевых пластин. Представлено современное микроэлектронное производство и применяемые на нем стандартные технологические операции. Сделан вывод о применении описанных технологий для изготовления микро- и наносистемной техники.Для студентов, обучающихся по программам подготовки 12.04.01 «Приборостроение» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника», для колледжей микроэлектронного направления и широкого круга читателей.

Аннотация: Рассматриваются принципы построения и свойства устройств на транзисторах и интегральных элементах, работающих в импульсном режиме. Даны основы построения устройств комбинационной логики: шифраторов, мультиплексоров, триггеров, регистров, счетчиков, сумматоров. Излагаются основы построения и свойства таких базовых схем, как мультивибраторы, генераторы линейно изменяющегося напряжения, триггеры, блокинг-генераторы.Для студентов, обучающихся по специальностям «Электроника и наноэлектроника», «Оптотехника», «Фотоника и оптоинформатика».

Аннотация: Рассматривается элементная база электроники, полупроводниковые приборы и материалы, р-n-переход и его свойства, диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры, интегральные схемы, логические элементы, триггеры. Представлены основы аналоговой, цифровой схемотехники и микропроцессорной техники.Для студентов электротехнических направлений. Может быть полезно специалистам в области промышленной электроники, схемотехники, приборостроения.

Аннотация: Рассматриваются история и технологические основы электроники, свойства химических элементов и их соединений, основные технологические процессы микро- и наноэлектроники, основные виды нанотехнологий и их изделий, а также нанотехнологическое оборудование.Для студентов всех форм обучения по направлениям: 11.03.01 «Радиоэлектроника», 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника», а также учащихся колледжей электронного и радиотехнического профилей.

Аннотация: Рассмотрены основные вопросы организации и построения систем и линий радиосвязи, радиовещания и телевидения, сотовые сети радиосвязи стандарта GSM, радиосвязь через Интернет, системы GPS и ГЛОНАСС, беспроводная локальная сеть Wi-Fi, стандарты беспроводных сетей Bluetooth, принципы радиолокации. Исследуются принципы построения и схемотехника базовых узлов радиотехнических устройств: входных цепей, усилителей радиочастоты, амплитудных, частотных и фазовых детекторов, усилителей низкой частоты, систем авторегулирования усиления, систем автоматической подстройки частоты и др. Приведены примеры расчетов устройств, а также примеры их схемотехнического компьютерного моделирования.Для студентов телекоммуникационных и радиотехнических специальностей дневной и заочной формы обучения, а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику и схемотехнику.

Аннотация: Рассматриваются принципы схемотехнических решений аналоговых и цифровых устройств полупроводниковой электроники, особенности их функционирования, методы анализа и расчетов.Для студентов телекоммуникационных и радиотехнических специальностей дневной и заочной формы обучения, а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику и схемотехнику.

Аннотация: Изложены физические основы наноэлектроники, нанофотоники и микросистемной техники. Рассмотрены вопросы, связанные с примене-нием наноматериалов при создании водородных топливных элементов, солнечных элементов и ионисторов.Для студентов, обучающихся по направлениям подготовки 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника».

Аннотация: Рассмотрены ключевые характеристики и технические особенности микроэлектронных схем в целом, а также микроэлектронной техники и компонентов. Даны современные методы применения последних достижений в области низкоуровневого программирования.Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 09.03.02 «Информационные системы и технологии», направленность «Создание, модификация и сопровождение информационных систем, администрирование баз данных», и смежных направлений подготовки, а также специалистов и инженеров в области компьютерных технологий, компьютерных систем, низкоуровневого программирования и подобных областей.

Аннотация: Представлены конструкции и принципы работы основных типов микродатчиков и микросистем, разработанных и применяемых в настоящее время. Даны определения основным терминам, используемым в микросистемной технике. Приведен перечень метрологических параметров, характеризующих микросистему как измерительный прибор. Отдельным вопросом рассмотрено компьютерное моделирование и проектирование микросистем на основе программного пакета ANSYS.Для студентов, обучающихся по программам подготовки 12.04.01 «Приборостроение» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Аннотация: Монография посвящена разработке новых многокомпонентных материалов для изделий наноэлектроники. Рассмотрены методы расчета азеотропных и эвтектических составов резистивных сплавов. Установлены механизмы и закономерности рекристаллизации и фазовых превращений, протекающих при термообработке многокомпонентных пленок и многослойных структур, содержащих тугоплавкие и редкоземельные элементы, их влияние на стабильность электрических параметров элементов интегральных микросхем (ИМС). Рассмотрены процессы, протекающие в объеме и на границах раздела многослойных структур при их формировании и при последующих высокоэнергетических воздействиях. Приведены данные по влиянию технологических параметров изготовления на структуру, фазовый состав и стабильность электрофизических свойств элементов ИМС.Рассчитана на широкий круг научных и инженерно-технических работников, специалистов в области микро- и наноэлектроники, может служить в качестве учебного пособия по теоретическим вопросам конструирования и производства ИМС для студентов и аспирантов вузов.  

Аннотация: Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

Аннотация: Рассмотрены основы работы транзисторных ключей на биполярных и полевых транзисторах. Изложены принципы построения логических элементов семейств транзисторно-транзисторной логики, эмиттерно-связанной логики, комплементарных логических элементов и логики на базе биполярных транзисторов с комплементарными ключами. При рассмотрении транзисторных ключей и логических элементов приведены основные характеристики и свойства, а также способы улучшения статических характеристик и быстродействия.По каждому разделу помимо теоретического материала предложен ряд контрольных вопросов, а также практические задания для закрепления полученных знаний. В конце пособия рассмотрен пример разработки схемы цифровой электроники на базе логического элемента семейства ТТЛ, который служит примером выполнения расчетов по курсовому проекту в рамках курса «Микроэлектроника».Пособие предназначено для студентов третьего курса факультета РЭФ дневного отделения направления «Электроника и наноэлектроника».

Аннотация: Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях. Для студентов, обучающихся по специальности 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов.